具有底切结构的发光二极管及其制造方法

摘要

本发明揭露一种具有底切结构的发光二极管及其制造方法。具有底切结构的发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层具有一第一区域及一第二区域，其中第一区域具有一第一倾斜壁及一第一顶面，而第一倾斜壁与第一顶面相夹一第一锐角。发光层是形成于第二区域上。第二半导体层是形成于发光层上。第一电极和第二电极分别形成于第一顶面和第二半导体上。第二区域的部分第一半导体层以及上方的发光层和第二半导体层构成一平台结构，且平台结构在邻近第一区域的一侧具有一第二倾斜壁，且第二倾斜壁与第一区域表面间相夹一第二锐角。

主权项

一种具有底切结构的发光二极管，其特征在于，包含：一第一半导体层，具有一第一区域及一第二区域，其中该第一区域侧边具有一第一倾斜壁，且该第一区域表面具有一第一顶面，而该第一倾斜壁与该第一顶面相夹一第一锐角；一发光层，形成于该第一半导体层的该第二区域上；一第二半导体层，形成于该发光层上；以及一第一电极和一第二电极分别形成于该第一顶面和该第二半导体层上；其中，位于该第二区域的部分该第一半导体层以及位于其上的该发光层和该第二半导体层构成一平台结构，且该平台结构在邻近该第一区域的一侧具有一第二倾斜壁，且该第二倾斜壁与该第一区域表面间相夹一第二锐角。