| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：形成在衬底之上的多个沟道连接层；填充所述多个沟道连接层之间的空间的第一栅电极层；栅电介质层，所述栅电介质层插入在每个沟道连接层与第一栅电极层之间；层叠结构，所述层叠结构形成在所述多个沟道连接层和第一栅电极层之上，所述层叠结构包括交替层叠的多个层间电介质层和多个第二栅电极层；沟道层对，所述沟道层对被形成为穿通层叠结构且与所述多个沟道连接层中的每个沟道连接层连接；以及存储层，所述存储层插入在每个沟道层与每个第二栅电极层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103579252A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310111295.5 | 申请日期 | 2013.04.01 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 郭秀畅 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;石卓琼 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：多个沟道连接层，所述多个沟道连接层形成在衬底之上；第一栅电极层，所述第一栅电极层填充所述多个沟道连接层之间的空间；栅电介质层，所述栅电介质层插入在每个沟道连接层与所述第一栅电极层之间；层叠结构，所述层叠结构形成在所述多个沟道连接层和所述第一栅电极层之上，所述层叠结构包括交替层叠的多个层间电介质层和多个第二栅电极层；沟道层对，所述沟道层对被形成为穿通所述层叠结构，并且与所述多个沟道连接层中的每个沟道连接层连接；以及存储层，所述存储层插入在每个沟道层与每个第二栅电极层之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||