发明名称 磁场调控的超分辨荧光成像方法
摘要 本发明涉及一种磁场调控的超分辨荧光成像方法,涉及光学显微镜成像测量方法技术领域,克服了现有的应用于超分辨成像方法的荧光探针转换次数和发射光子数少的问题。外加磁场影响探针发光的超分辨荧光成像方法,在标记了荧光探针的待测样品附近施加一个外磁场,同时进行超分辨成像的数据采集;利用软件对采集到的数据进行分析。本发明的磁场调控的超分辨荧光成像方法增大了染料等荧光探针的发射光子数,提高了超分辨成像分辨率,并且使超分辨成像方法进一步发展。
申请公布号 CN103575716A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310571202.7 申请日期 2013.11.15
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 王宏达;张敏;蔡明军;蒋俊光
分类号 G01N21/64(2006.01)I 主分类号 G01N21/64(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 南小平
主权项 一种磁场调控的超分辨荧光成像方法,其特征在于,该方法具有如下步骤:步骤一、用荧光探针标记待测样品,将它们铺在载玻片上,加入成像缓冲液,盖上盖玻片并封片;步骤二、在待测样品附近施加一个外磁场,控制外磁场的大小和方向;步骤三、对修饰了荧光探针的待测样品进行超分辨成像的数据采集;步骤四、将采集到的数据进行分析。
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