发明名称 可调电极间距及平行度的刻蚀腔
摘要 本发明公开了一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔,包括;一腔体,所述腔体为圆柱形腔体;一上电极,固定安装在所述腔体的上顶面;一下电极,固定安装在所述腔体的下底面;所述腔体中设置一可变腔体,用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。本发明能既可以做到上下电极的距离可变并且可以让上下电极的水平度坐适当调整,优化面内均匀性。可以保证直径200mm的晶圆内任意个测试点,均匀性小于2%,同时刻蚀速率没有明显变化,满足特殊制品的需要。
申请公布号 CN103578903A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201210249414.9 申请日期 2012.07.18
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 李顺义
分类号 H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔,包括;一腔体,所述腔体为圆柱形腔体;上电极,固定安装在所述腔体的上顶面;一下电极,固定安装在所述腔体的下底面;其特征在于:所述腔体中设置一可变腔体,用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号