光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法

摘要

本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。

主权项

一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：步骤10：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层，所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶；步骤11：选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光；步骤12：对曝光后的正性光刻胶进行显影；步骤13：对介质层或金属层进行清洗及烘烤。