发明名称 一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置
摘要 本发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域。可以简化垂直结构TFT的制作工序,减少构图工艺使用次数。阵列基板包括在基板表面形成的漏电极的图案,在漏电极的图案的表面通过半导体化处理形成有半导体有源层的图案,在该半导体有源层的图案的表面形成有源电极的图案,其中漏电极、半导体有源层、源电极的图案通过一次构图工艺形成。
申请公布号 CN103560114A 申请公布日期 2014.02.05
申请号 CN201310573218.1 申请日期 2013.11.15
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 孔祥春;曹占锋
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种TFT阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在基板表面形成第一金属层;在所述第一金属层的表面通过半导体化处理形成半导体有源层;在所述半导体有源层的表面形成第二金属层;通过构图工艺形成包括漏电极、所述半导体有源层、源电极的图案。
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