| 发明名称 | 半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供半导体装置的制造方法。另外，能使用该方法获得的半导体装置，以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置（500a）的本发明的方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层（52）的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材（10）的晶体取向相同：（a）对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体，和（b）将适用的分散体干燥，形成未烧结掺杂剂注入层，以及（c）通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射，对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。 | ||
| 申请公布号 | CN103560142A | 申请公布日期 | 2014.02.05 |
| 申请号 | CN201310408737.2 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 帝人株式会社 | 发明人 | 富泽由香;池田吉纪;今村哲也 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;孟慧岚 |
| 主权项 | 半导体层叠体，其具有基材以及所述基材上的复合硅膜，所述复合硅膜具有非晶硅来源的第1硅层、以及其上的硅粒子来源的第2硅层，且所述复合硅膜通过所述非晶硅层与所述硅粒子层一起熔解一体化而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||