半导体器件的反熔丝、其制造方法以及半导体组件和系统

摘要

本发明公开一种半导体器件的反熔丝、其制造方法以及半导体组件和系统。该反熔丝基于场氮化物阱（FNT）且包括：第一有源柱体，其包括第一接面；第二有源柱体，其包括第二接面；选择线，其埋入在第一有源柱体与第二有源柱体之间；以及阱层，其根据施加至所述第一接面、所述第二接面和所述选择线的各个电压，捕获少数载流子，从而将所述第一接面和所述第二接面电连接起来。结果，可以利用上述结构来高度地集成熔丝，并可以容易地实现熔丝的编程。

主权项

一种半导体器件的反熔丝，包括：第一有源柱体，其包括第一接面；第二有源柱体，其包括第二接面；选择线，其设置在所述第一有源柱体与所述第二有源柱体之间；以及阱层，其根据施加至所述第一接面、所述第二接面和所述选择线的各个电压，捕获少数载流子，从而将所述第一接面和所述第二接面电连接起来。