具有平行电阻器的高压器件

摘要

本发明提供了一种高压半导体器件。该高压半导体器件包括具有栅极、源极和漏极的晶体管。源极和漏极形成在掺杂衬底中并且通过衬底的漂移区间隔开。栅极形成在漂移区上方以及位于源极和漏极的上方。晶体管被配置成处理至少几百伏的高电压条件。高压半导体器件包括形成在晶体管的源极和漏极之间的介电结构。介电结构突出进入衬底和突出到衬底之外。介电结构的不同部分具有不均匀的厚度。高压半导体器件包括形成在介电结构上方的电阻器。电阻器具有基本上均匀间隔开的多个绕组部分。本发明还提供了具有平行电阻器的高压器件。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；源极和漏极，设置在所述衬底中；漂移区，设置在所述衬底中以及所述源极和所述漏极之间，其中所述漂移区包括具有不同导电类型的多个掺杂部分；介电部件，设置在所述衬底的表面上以及所述源极和所述漏极之间；电阻器，设置在所述介电部件上方；以及栅极，设置在所述介电部件上方以及所述电阻器与所述源极和所述漏极中的一个之间。