发明名称 样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法
摘要 本发明公开了一种样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法,包括以下步骤:1)提供一种多点激光掩膜,该激光掩膜具有a(h)×n个半径r为10~25μm的掩膜孔,配合单位速度为d的y轴一维精密平移台一同使用;2)设计掩膜的重叠率与大小,配合微平移的速度与激光脉冲频率,使脉冲每次平移的距离都小于侧向生长距离,达到超级横向生长,在薄膜样品中形成面积较大的晶岛。本发明通过设计巧妙的激光掩膜图案配合样品台的一维精密平动来实现SLS激光晶化过程,降低了SLS激光晶化装置对样品台精密平动的要求,大大降低了SLS激光晶化的成本。
申请公布号 CN103537794A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310498635.4 申请日期 2013.10.22
申请人 中山大学 发明人 贾晓洁;刘超;艾斌;邓幼俊;沈辉
分类号 B23K26/00(2006.01)I;B23K26/066(2014.01)I 主分类号 B23K26/00(2006.01)I
代理机构 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人 张玲春
主权项 一种样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法,其特征在于包括以下步骤:1)提供一种多点激光掩膜,该激光掩膜具有a(h)×n个半径r为10~25μm的掩膜孔,配合单位速度为d的y轴一维精密平移台一同使用;其中,a为列数,h为列间距,表示一次性形成a列间距为h的花样,h≥4r,a根据掩膜大小及激光光斑大小任意调整;n为行数,表示最终形成n点花样,n可取2,3,4,5或6;2)设计掩膜的重叠率与大小,配合微平移的速度与激光脉冲频率,使脉冲每次平移的距离都小于侧向生长距离,达到超级横向生长,在薄膜样品中形成面积较大的晶岛。
地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号中山大学物理科学与工程技术学院
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