MOS器件及其形成方法

摘要

一种MOS器件及其形成方法，所述MOS器件包括：衬底，所述衬底上具有栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极；重掺杂区，位于栅极结构两侧的衬底内；反型区，位于栅极结构两侧的衬底内，且包围所述重掺杂区的底部和侧壁，所述反型区的掺杂离子与所述重掺杂区的掺杂离子导电类型相反。本发明提供的MOS器件及其形成方法有效提高了MOS器件的电学性能。

主权项

一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极；形成覆盖所述栅极结构以及栅极结构两侧衬底的光刻胶层；图案化所述光刻胶层，形成暴露出衬底中重掺杂区域的图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩模，刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧的衬底内形成凹槽；继续以所述图案化光刻胶层为掩模，对凹槽的底部和侧壁进行离子注入，形成反型区；去除所述图案化光刻胶层；在所述凹槽中形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂离子与反型区的掺杂离子导电类型相反。