| 发明名称 | 高效率石英双层错移光栅 | ||
| 摘要 | 一种用于1310纳米波长的TE偏振的垂直入射的高效率石英双层错移光栅，该光栅的光栅周期为1760～1770纳米，占空比为0.582，偏移量为565～575纳米，总的光栅深度为2810～2830纳米，上下光栅结构参数相同，当TE偏振光垂直入射时，其透射光-1级衍射效率可高于97%。本发明TE偏振的垂直入射的高效率石英双层错移光栅由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103543484A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310455059.5 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 李树斌;周常河;曹红超;吴俊 |
| 分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种用于1310纳米波长的TE偏振的垂直入射的高效率石英双层错移光栅，该光栅的光栅周期为1760～1770纳米，占空比为0.582，偏移量为565～575纳米，总的光栅深度为2810～2830纳米，上下光栅结构参数相同。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区800－211邮政信箱 | ||