发明名称 |
一种从低浓度含锗溶液中富集锗的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种从低浓度含锗溶液中富集锗的方法,特别适用于中性和酸性的复杂多成分的低浓度含锗溶液,通过向Ge含量小于30mg/L的含锗溶液中添加硅试剂,生成硅胶,利用锗具有“亲硅”的性质,使得溶液中的91%以上的锗被硅胶吸附富集,然后通过过滤反应溶液,得到含锗2%以上的锗精矿。本发明工艺过程简单,成本低,且锗与其它金属离子分离效果好,锗富集比高,适用于工业化应用。 |
申请公布号 |
CN103540755A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201310511310.5 |
申请日期 |
2013.10.25 |
申请人 |
深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂 |
发明人 |
李玉虎;张登凯;徐毅;张伟;胡东风;曾理 |
分类号 |
C22B7/00(2006.01)I;C22B41/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
长沙市融智专利事务所 43114 |
代理人 |
颜勇 |
主权项 |
一种从低浓度含锗溶液中富集锗的方法,具体步骤如下:第一步:将低浓度含锗溶液泵入到反应釜中,开启搅拌,并升温至30‑80℃;第二步:往反应釜中加入硅试剂,控制硅试剂与溶液中锗的物质的量的比为5:1‑20:1,继续搅拌反应1‑4h;第三步:结束反应并过滤分离,将所得的滤渣干燥,获得富锗物料。 |
地址 |
512000 广东省韶关市仁化县凡口矿丹霞冶炼厂 |