| 发明名称 | 真空镀膜方法 | ||
| 摘要 | 一种真空镀膜方法，包括以下步骤：提供一带状基材，该带状基材经过螺旋盘绕之后围成一圆筒状结构，该待镀膜表面即为该圆筒状结构的外表面；将所述圆筒状结构置于真空镀膜机中，该真空镀膜机内设置有待镀膜材料，使用该待镀膜材料对所述待镀膜表面进行第一次镀膜，形成一第一薄膜层；以及；将所述圆筒状结构倒置，对所述待镀膜表面进行第二次镀膜，从而在第一薄膜层的表面形成一第二薄膜层，两次镀膜后形成的镀膜材料层整体厚度均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN103526161A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310453456.9 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 宫辉;王学武;李元景;杨祎罡;王永强;朱守糯;王燕春;常建平 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 哈达 |
| 主权项 | 一种真空镀膜方法，包括以下步骤：S1：提供一带状基材，该带状基材经过螺旋盘绕之后围成一圆筒状结构，待镀膜表面即为该圆筒状结构的外表面；S2：将所述圆筒状结构置于真空镀膜机中，该真空镀膜机内设置有待镀膜材料，使用该待镀膜材料对所述待镀膜表面进行第一次镀膜，形成一第一薄膜层；以及；S3：将所述圆筒状结构倒置，对所述待镀膜表面进行第二次镀膜，从而在第一薄膜层的表面形成一第二薄膜层，两次镀膜后形成的镀膜材料层整体厚度均匀。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱 | ||