| 发明名称 | 制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板 | ||
| 摘要 | 制造氮化镓（GaN）基板的方法和由该方法制造的GaN基板。该方法包括在基底基板上生长GaN膜和从GaN膜分离基底基板的步骤。生长GaN膜的步骤包括在GaN膜中形成凹点，该凹点诱导倒反畴界在GaN膜的内部形成。GaN基板可具有在层转移（LT）工艺过程中可用来操控基板的预定厚度，并且GaN基板的翘曲可达最小化，从而防止由于翘曲引起的裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN103526296A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310271109.4 | 申请日期 | 2013.07.01 |
| 申请人 | 三星康宁精密素材株式会社 | 发明人 | 林圣根;朴甫益;禹广济;金宇理汉;金俊会;朴喆民;裵峻莹;李东龙;李原兆;崔准成 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种制造氮化镓基板的方法，包括：在基底基板上生长氮化镓膜；和从所述氮化镓膜分离所述基底基板，其中，生长所述氮化镓膜包括在所述氮化镓膜中形成凹点，所述凹点诱导倒反畴界在所述氮化镓膜的内部形成。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||