发明名称 多层单位记忆体之资料路径,储存之方法及利用记忆体阵列之方法
摘要 本发明揭示记忆体、资料路径、储存之方法及利用之方法,其包含用于使用多层记忆体单位之一记忆体的一资料路径以提供每一记忆体单位多个位元之储存。一个此资料路径包含一位元映射电路及一资料转换器电路。此一位元映射电路可经组态以将原始资料之位元映射至一位元之中间配置且此一资料转换器电路可经组态以接收该位元之中间配置且将该位元之中间配置转换成对应于欲由一记忆体单位阵列之记忆体单位储存之一记忆体状态之中间资料。
申请公布号 TWI424442 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW098133754 申请日期 2009.10.05
申请人 美光科技公司 美国 发明人 包尔 马克
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国