发明名称 带扩散解离区域的等离子体处理装置
摘要 本发明涉及一种带扩散解离区域的等离子体处理装置,用于生成引入气体的电感耦合等离子体与基片反应,其特征在于,包含真空的处理腔室;设置在处理腔室的顶板上方且与处理腔室贯通连接的进气通道;进气通道上设置有第一线圈;进气通道的内部包含一第一扩散解离区域,其中生成有引入气体的电感耦合等离子体;处理腔室的顶板上设置有第二线圈。由于设置第一、第二线圈,使等离子体气体分子先后在第一、第二扩散解离区域经过两次电子轰击,被充分解离;更将垂直贯通的进气通道加宽加长,并在底部设为倒漏斗或喇叭状,且与基片对应设置,使经过轰击解离的等离子体,能被快速引到基片表面,增加基片表面的等离子体密度均匀性,以缩短处理反应的时间。
申请公布号 TWI424796 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW099104622 申请日期 2010.02.12
申请人 中微半导体设备(亚洲)有限公司 开曼群岛 发明人 倪图强
分类号 H05H1/46 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人 黄淑贞 台中市北屯区北屯路212巷122弄8号
主权项
地址 开曼群岛