一种鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，本发明提供的鳍式场效应晶体管，所形成浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，即避免了所形成的浅沟道隔离具有竖直部分，从而也就避免了竖直部分不利于氧化物的填充，造成浅沟道隔离内有空隙的问题。之后对第一鳍式结构进行再加工形成第二鳍式结构，使得第二鳍式结构的第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面，满足鳍式场效应晶体管所需要的结构。最终，大大的提高了器件的稳定性。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；通过刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一鳍式结构，相邻两个第一鳍式结构之间为隔离沟道；在所述隔离沟道内填充氧化层并刻蚀，形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，所述浅沟道隔离的表面低于所述第一鳍式结构的上表面；刻蚀所述第一鳍式结构形成第二鳍式结构，所述第二鳍式结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面。