用于在防反射涂层中集成二氧化钛层的方法和结构

摘要

在包括p-n结的半导体衬底的前表面上形成第一防反射涂层(ARC)层和钛层的堆叠，并且随后图案化该堆叠，从而在半导体衬底的前表面的金属接触区域中物理地暴露半导体表面。通过氧化将钛层的其余部分转换成二氧化钛层。在金属接触区域上镀制金属层，并且随后在金属层或者从金属层获得的金属半导体合金上镀制铜线。在二氧化钛层和铜线上沉积第二ARC层，并且随后图案化第二ARC层以提供与铜线的电接触。

主权项

一种形成防反射涂层的方法，包括：在半导体衬底上形成第一电介质材料层和钛层的从下至上的堆叠；图案化所述堆叠以物理地暴露所述半导体衬底的半导体表面；通过氧化将所述钛层的其余部分转换成二氧化钛层；在所述半导体表面上镀制至少一种金属材料而防止所述至少一种金属材料从所述二氧化钛层生长；并且在所述二氧化钛层和所述至少一种金属材料上形成第二电介质材料层，其中所述第一电介质材料层、所述二氧化钛层和所述第二电介质材料层共同地形成防反射涂层。