硫氰酸汞盐单晶的生长方法

摘要

本发明属于溶液降温法晶体生长技术领域。以1-3％的氯化钾(钠)水溶液为作溶剂，在起始温度30-40℃硫氰酸汞盐过饱合溶液进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速15-30rpm，降温速度0.1-0.3℃/天。生长周期1-2月可得到高光学质量的硫氰酸汞盐(AHg[SCN]₄A＝Cd²⁺、Zn²⁺、Cu²⁺、Co²⁺、Ni²⁺)单晶，大小均在厘米级以上，其中硫氰酸汞镉晶体器件可实现半导体激光倍频毫瓦级蓝紫光输出。本发明方法操作简便安全无污染。

主权项

1.硫氰酸汞盐单晶的生长方法，包括旋转籽晶、溶液降温生长工艺，其特征在于，以重量百分比1-3％的氯化钾(钠)水溶液为溶剂，在起始温度30-40℃硫氰酸汞盐(AHg[SCN]4 A＝Cd2+、Zn2+、Cu2+、Co2+、Ni2+)过饱合溶液中进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速15-30rpm，降温速度0.1-0.3℃/天。