记忆胞及其制造方法以及记忆体结构

摘要

一种记忆胞，其包括基底、绝缘层、闸极、电荷储存结构、第一源极/汲极区、第二源极/汲极区与通道层。绝缘层配置于基底上。闸极配置于绝缘层上。电荷储存结构配置于绝缘层与闸极上。第一源极/汲极区配置于位于闸极的二侧的电荷储存结构上。第二源极/汲极区配置于位于闸极的顶部的电荷储存结构上。通道层配置于位于闸极的侧壁上的电荷储存结构上，且与第一源极/汲极区以及第二源极/汲极区电性连接。