一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法

摘要

本发明提出了一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，旨在进一步提高P型材料的掺杂效率和空穴浓度，提高发光器件的效率，并同时尽可能减少Mg向量子阱的扩散而影响量子阱的质量。该方法是按照常规方式依次生长完基础材料GaN，NGaN和MQW之后，以变化的配比通入Mg/Ga，特别是Mg/Ga比例的线性和阶梯性流量变化（另外还进一步配合加入Al和In），调整匹配P型GaN结构，既能保证材料的高空穴浓度又不至于对原有结构破坏，从而整体上提升材料质量和器件性能。

主权项

一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，是在依次生长完基础材料GaN，NGaN和MQW之后，通入Mg和Ga，其特征在于：通入Mg和Ga的过程，存在Mg与Ga的流量比例变化的阶段。