| 发明名称 | 层间电介质层的平面化方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种层间电介质层的平面化方法，包括：在晶片上方提供包括至少一个牺牲层和位于所述至少一个牺牲层下方的绝缘层的多层结构；对多层结构进行第一次反应离子刻蚀，其中控制反应室气压，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片位置的部分的刻蚀速率大于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率，以获得凹形刻蚀剖面；对多层结构进行第二次反应离子刻蚀，完全去除牺牲层以及去除绝缘层的一部分，以获得具有平整表面的绝缘层作为层间电介质层。该平面化方法可以用于代替化学机械平面化而提供具有平整表面的层间电介质层，并且获得了更大的可用晶片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102543839B | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201010601744.0 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;徐秋霞;孟令款;杨涛;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种层间电介质层的平面化方法，包括：在晶片上方提供包括至少一个牺牲层和位于所述至少一个牺牲层下方的绝缘层的多层结构；对多层结构进行第一次反应离子刻蚀，其中控制反应室气压，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率大于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率，以获得凹形刻蚀剖面；对多层结构进行第二次反应离子刻蚀，完全去除牺牲层以及去除绝缘层的一部分，以获得具有平整表面的绝缘层作为层间电介质层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||