发明名称 |
高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪 |
摘要 |
本实用新型提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,其特征包括:3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路;所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成。本实用新型所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。 |
申请公布号 |
CN203376441U |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201320521643.1 |
申请日期 |
2013.08.26 |
申请人 |
黄月华 |
发明人 |
黄月华 |
分类号 |
G01R31/14(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/14(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,它包括3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、晶体管测试接口和万用表接口电路,其特征在于:所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成,NPN型晶体管VT1的基极通过电阻R1接电位器RP的一端,电位器RP的另一端及其活动端接高频变压器T初级线圈L1的异名端,NPN型晶体管VT1的集电极接初级线圈L2的同名端,高频变压器T初级线圈L2的异名端和初级线圈L1的同名端接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成,高频变压器T的升压线圈L3的同名端接快恢复二极管Dl的正极,快恢复二极管Dl的负极接高压瓷片电容C2的一端和限流电阻R2的一端,高频变压器T的升压线圈L3的异名端接高压瓷片电容C2的另一端;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成,接线柱TX1和接线柱TX3接限流电阻R2的另一端和500型万用表的正表笔,接线柱TX2和接线柱TX4接高频变压器T的升压线圈L3的异名端和500型万用表的负表笔;所述的3V直流电源正极通过电源开关SW接电路正极VCC和电解电容C1的正极,3V直流电源负极接电路地GND和电解电容C1的负极。 |
地址 |
233000 安徽省蚌埠市经济开发区奋勇街146号(黄山茶庄南首) |