双闸极、非挥发性记忆胞及其阵列、以及其制造方法与操作方法

摘要

一种记忆胞及包括多个此等记忆胞之阵列，以及此等记忆胞之制造方法及此等记忆胞之操作方法，其中记忆胞包括半导体基底，其具有被通道区域分离之源极区与汲极区；第一闸极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近源极区；以及第二闸极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近汲极区，其中第一闸极与第二闸极被第一奈米空间分离。