| 发明名称 | 芯片封装结构及形成方法 | ||
| 摘要 | 一种芯片封装结构及形成方法，所述芯片封装结构的形成方法包括：沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的宽度大于切割道的宽度；在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊盘和连接结构；利用所述连接结构将芯片和封装电路板固定连接。由于用于固定连接的连接结构位于所述沟槽内，因此本发明的芯片封装结构的总厚度小于芯片的厚度、连接结构的高度和封装电路板的厚度之和，从而有利于产品小型化。 | ||
| 申请公布号 | CN103489802A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310428902.0 | 申请日期 | 2013.09.18 |
| 申请人 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 发明人 | 王之奇;喻琼;王文斌;王蔚 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干个芯片，每一个芯片包括芯片功能区和位于所述芯片功能区外侧的若干第一焊盘；沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的宽度大于切割道的宽度；在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊盘，在所述待封装晶圆表面、沟槽的侧壁和底部表面形成连接第一焊盘和第二焊盘的金属互连层；在所述第一焊盘和金属互连层表面形成钝化层，且所述钝化层暴露出第二焊盘表面；在所述第二焊盘表面形成连接结构；沿着切割道对待封装晶圆进行切割形成分立的芯片；利用所述连接结构将所述分立的芯片与封装电路板固定连接。 | ||
| 地址 | 215021 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号 | ||