发明名称 |
一种IGBT驱动电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种IGBT驱动电路,包括光电耦合器、IGBT模块、正负电极和推挽电路,推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,N沟道MOS管的集电极与正负电极的正电极连接,P沟道MOS管的集电极与正负电极的负电极连接,N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与光电耦合器的输出端VOUT连接,N沟道MOS管通过第二电阻与IGBT模块的栅极输入端连接,P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接。本实用新型通过推挽电路使光电耦合器驱动能力增大,能够驱动容量更大的IGBT模块,便于开发更大功率的工业变频器。 |
申请公布号 |
CN203377852U |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201320354347.7 |
申请日期 |
2013.06.19 |
申请人 |
山东朗进科技股份有限公司 |
发明人 |
崔增良;杜鹏 |
分类号 |
H03K17/567(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/567(2006.01)I |
代理机构 |
北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 |
代理人 |
曲艳 |
主权项 |
一种IGBT驱动电路,包括光电耦合器和IGBT模块,其特征在于:还包括正负电极和推挽电路,所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接,所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接,所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端VOUT连接,所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述IGBT模块的发射极接地。 |
地址 |
271100 山东省莱芜市莱城区(高新区)龙山路006号 |