| 摘要 |
Изобретение относится к области технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Изобретение может быть использовано для производства датчиков определения величины показателя pH различных биологических растворов, а также как составляющий элемент датчиков химических и биологических веществ, изготовленных по технологии производства кремниевых интегральных микросхем. Чувствительный элемент датчика содержит истоковые электроды p-типа (1) и n-типа (2) и общий стоковый электрод (3), имеющий области p-типа (4) и n-типа (5). Электроды выполнены на диэлектрическом слое (6) подложки (7). Истоковый электрод p-типа (1) соединен областью p-типа (4) стокового электрода (3) нанопроволокой (8), образуя ионо-чувствительный полевой транзистор p-типа. Истоковый электрод n-типа (2) соединен областью n-типа (5) стокового электрода (3) нанопроволокой (9), образуя ионо-чувствительный полевой транзистор n-типа. Таким образом, чувствительный элемент датчика содержит два ионо-чувствительных полевых транзистора p-типа и n-типа, выполненных на диэлектрическом слое подложки. Нанопроволоки (8 и 9) покрыты диэлектриком. Стоковый (3) и истоковые электроды (1 и 2) покрыты слоем изоляции (10). Технический результат заключается в увеличении чувствительности и пространственного разрешения чувствительного элемента датчика. |
