| 发明名称 | 一种低电压二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低电压二极管。该低电压二极管依次包括第一电极层；第一电极层上的硅衬底；硅衬底上第一导电类型的外延层；所述外延层中与第一导电类型相反的第二导电类型的高浓度掺杂区；所述外延层上具有暴露所述掺杂区的开口的绝缘层；位于所述掺杂区和部分绝缘层上的夹层保护层；位于所述夹层保护层上的第二电极层，其特征在于，所述夹层保护层和所述第二电极层具有完全相同的外边界。根据本实用新型制作的低电压二极管，不仅产品合格率得到显著提高，而且由于制作工艺简化，生产效能获得相应提升。 | ||
| 申请公布号 | CN203367292U | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201320372459.5 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 北京燕东微电子有限公司 | 发明人 | 周源 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 张雪梅 |
| 主权项 | 一种低电压二极管，依次包括 第一电极层； 第一电极层上的硅衬底； 硅衬底上第一导电类型的外延层； 所述外延层中与第一导电类型相反的第二导电类型的高浓度掺杂区； 所述外延层上具有暴露所述掺杂区的开口的绝缘层； 位于所述掺杂区和部分绝缘层上的夹层保护层； 位于所述夹层保护层上的第二电极层， 其特征在于， 所述夹层保护层和所述第二电极层具有完全相同的外边界。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号北京燕东微电子有限公司 | ||