发明名称 低损耗大有效面积单模光纤及其制造方法
摘要 本发明公开了一种低损耗大有效面积单模光纤及其制造方法,涉及光纤领域,该光纤包括由内至外依次排列的石英玻璃包层、内涂层和外涂层,石英玻璃包层内部还包括由内至外依次排列的第一纤芯区域、第二纤芯区域、第三纤芯区域、第四纤芯区域和折射率下凹包层,折射率下凹包层采用PCVD工艺进行沉积,石英玻璃包层采用OVD工艺或套管工艺制造。本发明能减小光纤的散射损耗和光纤弯曲状态下的附加损耗,将纤芯基模电磁场功率由尖顶分布调整为平顶分布,降低光功率密度,增大光纤的有效面积,降低光纤的非线性,使光纤通信系统入纤功率提高0.4~2.6dB,适合大规模生产。
申请公布号 CN103472525A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310409008.9 申请日期 2013.09.10
申请人 烽火通信科技股份有限公司;武汉烽火锐光科技有限公司 发明人 陈伟;李诗愈;莫琦;罗文勇;杜城;柯一礼;雷琼;但融;张涛;胡福明
分类号 G02B6/02(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I;G02B6/028(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I;C03B37/025(2006.01)I 主分类号 G02B6/02(2006.01)I
代理机构 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人 魏殿绅;庞炳良
主权项 一种低损耗大有效面积单模光纤,包括由内至外依次排列的石英玻璃包层(b)、内涂层(f1)和外涂层(f2),其特征在于:所述石英玻璃包层(b)内部还包括由内至外依次排列的第一纤芯区域(a1)、第二纤芯区域(a2)、第三纤芯区域(a3)、第四纤芯区域(a4)和折射率下凹包层,第一纤芯区域(a1)的半径为r1,第二纤芯区域(a2)的半径为r2,第三纤芯区域(a3)的半径为r3,第四纤芯区域(a4)的半径为r4,折射率下凹包层内边缘(b1)到第一纤芯区域(a1)中心的距离为r5,折射率下凹包层外边缘(b2)到第一纤芯区域(a1)中心的距离为r6,折射率下凹包层采用等离子化学气相沉积PCVD工艺进行沉积,石英玻璃包层(b)采用外部气相沉积OVD工艺或套管工艺制造,其中:第一纤芯区域(a1)与石英玻璃包层(b)的相对折射率差Δ1(r)随纤芯半径r的变化满足“Δ1(r)=c1”关系曲线:0≤r≤r1,1.0μm≤r1≤2.0μm,c1为常数,0.07%≤c1≤0.15%;第二纤芯区域(a2)与石英玻璃包层(b)的相对折射率差Δ2(r)随纤芯半径r的变化满足“Δ2(r)=A×ln(r)+c2”关系曲线:r1≤r≤r2,3.0μm≤r2≤3.9μm,A、c2均为常数,0.0019≤A≤0.0025,‑0.00001≤c2≤‑0.00010;第三纤芯区域(a3)与石英玻璃包层(b)的相对折射率差Δ3(r)随纤芯半径r的变化满足“Δ3(r)=c3”关系曲线:r2≤r≤r3,2.5μm≤r3≤5.0μm,c3为常数,0.18%≤c3≤0.32%;第四纤芯区域(a4)与石英玻璃包层(b)的相对折射率差Δ4(r)随纤芯半径r的变化满足“Δ4(r)=B×r2+C×r+c4”关系曲线:r3≤r≤r4,5.0μm≤r4≤6.5μm,B、C、c4均为常数,‑0.0010≤B≤‑0.00075,0.0071 ≤C≤0.0088,‑0.0175≤c4≤‑0.0144;该光纤的折射率下凹包层内边缘(b1)到第一纤芯区域(a1)中心的距离r5与第四纤芯区域(a4)的半径r4的关系为:3.0μm≤r5‑r4≤6.2μm,该折射率下凹包层的厚度满足5.0μm≤r6‑r5≤11.2μm,该折射率下凹包层的相对折射率差曲线满足Δb(r)=k×r+t曲线关系:k、t均为常数,k=5×10‑6,‑9.46×10‑3≤t≤‑2.70×10‑3。
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