发明名称 一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法
摘要 本发明公开了一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法。本发明以光萼唇柱苣苔叶片为外植体,通过筛选和优化初代诱导、继代增殖、生根和移栽培养基配方和培养条件,经过不定芽的初代诱导、继代增殖和生根培养以及试管苗的移栽阶段,实现光萼唇柱苣苔种苗的快速繁殖,一般只需80天就可以获得光萼唇柱苣苔的幼苗,并且光萼唇柱苣苔幼苗的成活率可达95%以上,从而为该物种的遗传改良、种质资源保护和开发利用奠定基础。
申请公布号 CN103461129A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310426192.8 申请日期 2013.09.17
申请人 中国科学院华南植物园 发明人 杨国;陈红锋;马国华
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人 刘明星
主权项 一种光萼唇柱苣苔组织培养及快速繁殖的方法,其特征在于,包括以下步骤:a、外植体消毒处理:以光萼唇柱苣苔(Chirita anachoreta Hance)植株叶片为外植体,清洗消毒干净后得到消毒后的外植体;b、不定芽的初代诱导:将消毒后的外植体接种到诱导培养基上,在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养,外植体诱导形成不定芽,所用的诱导培养基为:每升含有苄氨基嘌呤0.1~0.5μmol、N‑苯基‑N′‑1,2,3‑噻二唑‑5‑脲0.1μmol、3‑吲哚丁酸0.1μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g,其余为MS培养基,pH为5.8;c、芽的继代增殖:将不定芽丛切成块,转入继代的培养基上,在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养,从生芽生长健壮成芽苗,所用的继代的培养基为:每升含有苄氨基嘌呤0.1μmol、萘乙酸0~0.1μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g、其余为MS培养基,pH为5.8;d、生根培养:将高2~3cm的芽苗分切转入生根培养基上,在温度25±1℃、光照强度50μmol·m‑2·s‑1、光照时间12h·d‑1的条件下培养,形成生根的试管苗,所述的生根培养基为:每升含有萘乙酸0.5~1.0μmol、蔗糖30g、琼脂5.5g、其余为1/2MS培养基,pH为5.8;e、试管苗移栽:将长好根的试管苗移栽到移栽基质中,放置于遮荫温室中培养,浇水保湿,其他按常规条件进行培养,由此得到光萼唇柱苣苔幼苗,所用的移栽基质为:腐质土和蛭石按质量比2∶1混合均匀。
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