发明名称 |
等离子体处理的方法 |
摘要 |
一种等离子体处理的方法,包括:对待处理基底进行第一等离子体处理,通入第一反应气体到反应腔,第一射频功率源输出射频功率到反应腔,第一射频功率源的输出频率为第一频率;对待处理基底进行第二等离子体处理,通入第二反应气体到反应腔,第一射频功率源输出射频功率到反应腔,自动调节第一射频功率源的输出频率获得第二频率,使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配;在第一等离子体处理和第二等离子体处理之间还包括过渡步骤,反应腔内的气体从第一反应气体转换为第二反应气体,设置第一射频功率源输出的射频功率具有处于第一频率到第二频率之间的预设频率,使过等离子保持点燃。所述等离子体处理的方法能够保持等离子体稳定,处理质量提高。 |
申请公布号 |
CN103474328A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310436381.3 |
申请日期 |
2013.09.23 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
叶如彬;浦远 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种等离子体处理的方法,其特征在于,包括:提供待处理基底到反应腔;对所述待处理基底进行第一等离子体处理,通入第一反应气体到反应腔,第一射频功率源输出射频功率到反应腔,自动调节所述第一射频功率源的输出频率获得第一频率,使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配;在所述第一等离子体处理之后,对所述待处理基底进行第二等离子体处理,通入第二反应气体到反应腔,所述第一射频功率源输出射频功率到反应腔,自动调节所述第一射频功率源的输出频率获得第二频率,使第一射频功率源与反应腔阻抗匹配;在所述第一等离子体处理和第二等离子体处理之间,还包括过渡步骤,在所述过渡步骤中,反应腔内气体从第一反应气体转换为第二反应气体,设置第一射频功率源输出的射频功率具有预设频率,所述预设频率使过渡步骤中的等离子保持点燃,所述预设频率处于第一频率到第二频率的范围内。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |