一种高容量的耐雪崩击穿的超级结器件结构

摘要

本发明公开了一种超级结器件的终端设计结构，该结构包括：衬底重掺杂区，其上有外延漂移区；所述外延漂移区内的两侧有P型半绝缘柱区；在所述外延漂移区表面形成离子注入P型阱区；所述P型阱区在器件元胞区内上方形成有N型多晶，即为器件栅极；所述栅极两侧有离子注入形成的源区；终端区内设计有一定间距的P型半绝缘柱区阵列，在与元胞过度区侧上方形成有场氧；所述场氧上方形成有N型多晶和P型多晶，两种多晶间隙阵列，所述多晶阵列接近元胞区最外侧为N型多晶，通过接触孔与元胞区的栅极相连。

主权项

一种超级结器件终端设计结构，其特征在于，该结构包括：衬底重掺杂区【01】；位于衬底重掺杂区【01】之上的外延漂移区【11】；位于衬底重掺杂区【01】且位于外延漂移区【11】两侧的P型半绝缘柱区【41】；在所述外延漂移区【11】表面形成离子注入P型阱区【31】；所述P型阱区【31】在器件元胞区【100】内上方形成有N型多晶【51】，即为器件栅极；所述栅极两侧有离子注入形成的源区【61】；终端区【101】内设计有一定间距的P型半绝缘柱区【41】阵列，在与元胞过度区侧上方形成有场氧【21】；所述场氧【21】上方形成有N型多晶【51】和P型多晶【52】，两种多晶间隙阵列，所述多晶阵列接近元胞区【100】最外侧为N型多晶【51】，通过接触孔【71】、金属【81】与元胞区的栅极相连；所述N型多晶【51】和P型多晶【52】的多晶间隙阵列，靠终端区【101】外侧为P型多晶【52】，通过接触孔【71】、金属【81】与P型阱区【31】相连。所述终端区【101】最外侧形成有场截止环，所述场截止环由N型重掺杂注入区【61】、接触孔【71】、N型多晶【51】场板和场氧【22】构成。