| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：半导体层，设置在绝缘基底上；栅电极，与半导体层叠置；源电极和漏电极，与半导体层叠置；第一阻挡层，设置在源电极和半导体层之间；以及第二阻挡层，设置在漏电极和半导体层之间，其中，第一阻挡层和第二阻挡层包括镍-铬（Ni-Cr）。 | ||
| 申请公布号 | CN103474431A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310003701.6 | 申请日期 | 2013.01.06 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 金暻鍱;金柄范;朴俊龙;郑敞午;寗洪龙;李东敏 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;韩芳 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：半导体层，设置在绝缘基底上；栅电极，与半导体层叠置；源电极和漏电极，与半导体层叠置；第一阻挡层，设置在源电极和半导体层之间；以及第二阻挡层，设置在漏电极和半导体层之间，其中，第一阻挡层和第二阻挡层包括镍‑铬。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||