| 发明名称 | 一种金属互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属互连结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中形成有接触区；层间介质层，所述层间介质层形成于所述半导体基底上；导电层，所述导电层贯穿所述层间介质层且电连接于所述接触区，所述导电层包括n层金属层和m层石墨烯层或碳纳米管层，所述金属层和所述石墨烯层或碳纳米管层间隔排列，n、m≥1且n+m≥3。以及，一种金属互连结构的形成方法。利于得到优质的互连结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102468220B | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201010539400.1 | 申请日期 | 2010.11.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种金属互连结构的形成方法，包括，在半导体基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成贯穿孔和/或凹槽，所述贯穿孔和/或凹槽暴露接触区；在所述贯穿孔和/或凹槽中形成导电层，所述导电层包括n层金属层和m层石墨烯层或碳纳米管层，所述金属层和所述石墨烯层或碳纳米管层为层叠间隔排列，n、m≥1且n+m≥3。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||