发明名称 非晶矽膜形成方法及非晶矽膜形成装置
摘要 非晶矽膜形成方法包含:藉由加热基底和流入胺基矽烷基气体至该加热之基底上,以在基底的表面上形成晶种层;及藉由加热基底、供应不含胺基之矽烷基气体至位在该加热基底的表面上之晶种层、并热分解该不含胺基之矽烷基气体,以于晶种层上形成非晶矽膜。
申请公布号 TWI420574 申请公布日期 2013.12.21
申请号 TW100114311 申请日期 2011.04.25
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 长谷部一秀;村上博纪;柿本明修
分类号 H01L21/205;H01L21/768 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项
地址 日本