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发明名称
非晶矽膜形成方法及非晶矽膜形成装置
摘要
非晶矽膜形成方法包含:藉由加热基底和流入胺基矽烷基气体至该加热之基底上,以在基底的表面上形成晶种层;及藉由加热基底、供应不含胺基之矽烷基气体至位在该加热基底的表面上之晶种层、并热分解该不含胺基之矽烷基气体,以于晶种层上形成非晶矽膜。
申请公布号
TWI420574
申请公布日期
2013.12.21
申请号
TW100114311
申请日期
2011.04.25
申请人
东京威力科创股份有限公司 日本
发明人
长谷部一秀;村上博纪;柿本明修
分类号
H01L21/205;H01L21/768
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项
地址
日本
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