发明名称 |
可得到致密矽石质膜之聚矽氮烷含有组成物 |
摘要 |
本发明的课题系提供一种在比以往更低温、或藉由加热下下,能够迅速地形成致密矽石质膜之聚矽氮烷化合物含有组成物。;本发明之解决手段系提供一种含有聚矽氮烷化合物、特定的胺化合物及溶剂而构成之聚矽氮烷化合物含有组成物,以及将其涂布在基板上并使其转化成为矽石质物质之矽石质物质的形成方法。特定的胺化合物系二个胺基的间隔为相当于5个C-C键的距离以上为佳,且胺基以被烃基取代为佳。 |
申请公布号 |
TWI419922 |
申请公布日期 |
2013.12.21 |
申请号 |
TW097140669 |
申请日期 |
2008.10.23 |
申请人 |
AZ电子材料IP股份有限公司 日本 |
发明人 |
尾崎佑树 |
分类号 |
C08K5/17;C08L83/16;C09D183/16;C09D7/12;C01B33/14 |
主分类号 |
C08K5/17 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |