| 摘要 |
Es werden MOSFETs und Verfahren zur Herstellung von MOSFETs mit einem ausgesparten Kanal und abrupten Übergängen offenbart. Das Verfahren umfasst das Erzeugen von Source- und Drain-Erweiterungen, während sich eine Platzhalter-Gate-Zone in ihrer Position befindet. Die Source/Drain-Erweiterungen erzeugen mit dem Siliciumsubstrat einen diffusen Übergang. Das Verfahren wird durch Entfernen der Platzhalter-Gate-Zone und Ätzen einer Aussparung in dem Siliciumsubstrat fortgesetzt. Die Aussparung schneidet zumindest einen Abschnitt des Source- und Drain-Übergangs. Anschließend wird durch Anwachsen einer Siliciumdünnschicht ein Kanal gebildet, um die Aussparung zumindest teilweise zu füllen. Der Kanal weist scharfe Übergange mit der Source- und Drain-Zone auf, während das ungeätzte Silicium, welches unterhalb des Kanals verbleibt, diffuse Übergänge mit der Source- und Drain-Zone aufweist. Somit kann ein MOSFET mit zwei Übergangszonen, scharf und diffus, in demselben Transistor erzeugt werden. |
