发明名称 等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法
摘要 本发明公开了一种等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法,采用具有小于晶圆直径的等离子体增强清洗装置对晶圆进行清洗,尤其是对氟残留进行清洗,有利于热量的迅速散发,且小面积清洗能够保证清洗过的区域杂质去除干净,不需要进行湿法清洗,外围管道能够及时的将清洗的微粒和氟残留排出,大大的提高了清洗的质量,降低了边缘效应的影响,从而避免了清洗时对低K介质层的破坏,极大的降低了清洗时的风险。
申请公布号 CN103456660A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201210183524.X 申请日期 2012.06.05
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张城龙;王冬江;张海洋
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种等离子体增强清洗装置,其特征在于,包括:一等离子体管道,用以传输等离子体,所述等离子体管道直径小于待处理晶圆直径;一外围管道,用以传输清洗后物质,所述外围管道包围所述等离子体管道。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号