发明名称 |
等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体增强清洗装置、系统及清洗晶圆的方法,采用具有小于晶圆直径的等离子体增强清洗装置对晶圆进行清洗,尤其是对氟残留进行清洗,有利于热量的迅速散发,且小面积清洗能够保证清洗过的区域杂质去除干净,不需要进行湿法清洗,外围管道能够及时的将清洗的微粒和氟残留排出,大大的提高了清洗的质量,降低了边缘效应的影响,从而避免了清洗时对低K介质层的破坏,极大的降低了清洗时的风险。 |
申请公布号 |
CN103456660A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201210183524.X |
申请日期 |
2012.06.05 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张城龙;王冬江;张海洋 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种等离子体增强清洗装置,其特征在于,包括:一等离子体管道,用以传输等离子体,所述等离子体管道直径小于待处理晶圆直径;一外围管道,用以传输清洗后物质,所述外围管道包围所述等离子体管道。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |