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发明名称 GALLIUM NITRIDE DEVICE SUBSTRATE CONTAINING A LATTICE PARAMETER ALTERING ELEMENT
摘要 <p>질화 갈륨 장치 기판은 대체 기판 상에 위치된 추가의 격자 매개변수 변경 원소를 함유하는 질화 갈륨 층을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101342329(B1) 申请公布日期 2013.12.16
申请号 KR20060071685 申请日期 2006.07.28
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01L33/32 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
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