发明名称 |
半导体结构以及其制造方法 |
摘要 |
在各种具体实施例中,揭示半导体结构及用以制造该等结构之方法。在本发明之一具体实施例中,揭示一种电性汇流排,其系嵌入于在一半导体基板之一表面下方的一介电材料内。于文中说明并主张其他具体实施例。 |
申请公布号 |
TWI419295 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW097137968 |
申请日期 |
2008.10.02 |
申请人 |
艾斯堤维圣资产有限责任公司 美国 |
发明人 |
碧熙奴 布拉萨拿 高格伊 |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/321;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
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代理人 |
李国光 新北市中和区中正路880号4楼之3;张仲谦 新北市中和区中正路880号4楼之3 |
主权项 |
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地址 |
美国 |