发明名称 半导体结构以及其制造方法
摘要 在各种具体实施例中,揭示半导体结构及用以制造该等结构之方法。在本发明之一具体实施例中,揭示一种电性汇流排,其系嵌入于在一半导体基板之一表面下方的一介电材料内。于文中说明并主张其他具体实施例。
申请公布号 TWI419295 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW097137968 申请日期 2008.10.02
申请人 艾斯堤维圣资产有限责任公司 美国 发明人 碧熙奴 布拉萨拿 高格伊
分类号 H01L23/52;H01L21/321;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 李国光 新北市中和区中正路880号4楼之3;张仲谦 新北市中和区中正路880号4楼之3
主权项
地址 美国
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