| 发明名称 | 磁通道结存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁通道结存储单元及其制造方法，所述磁通道结存储单元包括：下电极；上电极，位于所述下电极的上方；磁通道结，夹置在所述下电极和所述上电极之间；以及侧壁结构，形成在所述磁通道结两侧。根据本发明的磁通道结存储单元在不增大磁通道结的线宽的前提下，能克服由于介电层的缺损而导致上下电极之间形成电连接的问题，从而避免磁通道结存储单元失效。 | ||
| 申请公布号 | CN102376871B | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201010263258.2 | 申请日期 | 2010.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;张海洋;胡敏达 |
| 分类号 | H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;徐丁峰 |
| 主权项 | 一种磁通道结存储单元，包括：下电极；上电极，位于所述下电极的上方；磁通道结，夹置在所述下电极和所述上电极之间；侧壁结构，形成在所述磁通道结两侧；以及阻挡层，形成在所述下电极未被所述磁通道结覆盖的上表面以及所述磁通道结与所述侧壁结构之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||