一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用

摘要

本发明公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造技术领域，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，退火后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。本发明方法操作简单，改善了大电流大功率器件的热效应，成本低。

主权项

一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上，并进行图案画处理；4）将转移介质连同在其上的石墨烯压制在步骤1）得到的基础芯片结构表面，得到刻蚀用的掩膜，刻蚀掉无掩膜区域的p型AlGaN，刻蚀到n型GaN，然后去除转移介质，在基础芯片结构表面制得完整的石墨烯层；5）将表面具有完整的石墨烯层的芯片，在200～400℃下，在N2气氛围下退火3～5min后，蒸镀单层或多层金属层，得到高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层。