| 发明名称 | 一种瞬态电压抑制器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。本发明还公开了所述瞬态电压抑制器的制造方法。本发明的瞬态电压抑制器能提供6伏特标准击穿电压。本发明瞬态电压抑制器的制造方法能实现瞬态电压抑制器中的齐纳二极管的击穿电压不受隔离阱高温退火的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103426877A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210152857.6 | 申请日期 | 2012.05.16 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;段文婷;石晶;胡君;钱文生 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种瞬态电压抑制器，包括：N型衬底上的P型外延层，P型外延层中并列形成有P型隔离阱和深P阱，所述P型隔离阱和深P阱与N型衬底有接触，形成在两个P型隔离阱之间P型外延层中的P型注入区，形成在P型注入区上方的N型注入区，形成在深P阱中的N型注入区；将P型注入区上方的N型注入区和深P阱中的N型注入区连接接出作为抑制器的一端，将N型衬底连接接出作为抑制器的另一端。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||