发明名称 |
一种磁屏蔽结构以及单相变压器 |
摘要 |
本发明提供一种磁屏蔽结构,包括设于变压器绕组对端部且与变压器绕组对之间具有间隙的磁分路,所述磁分路由导磁材料制成,负载运行时所述变压器绕组对产生的漏磁通从所述磁分路中通过,所述漏磁通在变压器绕组对中、变压器绕组对与磁分路之间的间隙处、以及磁分路中形成漏磁回路。该磁屏蔽结构能够大大减少经过变压器中的金属结构件的漏磁通量,从而可削弱变压器运行时产生的大量热损耗,其结构简单,制作成本低。 |
申请公布号 |
CN103426616A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201210153252.9 |
申请日期 |
2012.05.14 |
申请人 |
特变电工股份有限公司 |
发明人 |
孙银年;吴素珍 |
分类号 |
H01F27/36(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F27/36(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
罗建民;邓伯英 |
主权项 |
一种磁屏蔽结构,其特征在于,包括设于变压器绕组对端部且与变压器绕组对之间具有间隙的磁分路,所述磁分路由导磁材料制成,负载运行时所述变压器绕组对产生的漏磁通从所述磁分路中通过,所述漏磁通在变压器绕组对中、变压器绕组对与磁分路之间的间隙处、以及磁分路中形成漏磁回路。 |
地址 |
831100 新疆维吾尔自治区昌吉市延安南路52号 |