| 发明名称 | 用于制造混合集成的构件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了用于混合集成的构件的制造方法。混合集成的构件应当包括至少两个MEMS结构元件(120、220)，至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件(110、210)。根据本发明，彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；在两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；然后在两个半导体基底(120、220)中的每个上产生一微机械结构。然后，两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式相叠地装配。然后才分离出多个构件。 | ||
| 申请公布号 | CN103420332A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310294306.8 | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | J·克拉森;H·韦伯 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01P15/08(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 侯鸣慧 |
| 主权项 | 用于制造具有至少两个MEMS结构元件的、混合集成的构件(40；50)的方法，所述至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件，·在所述方法中，首先彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，‑彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；‑在所述两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；以及‑然后在所述两个半导体基底(120、220)中的每个半导体基底上产生一微机械结构，·在所述方法中，所述两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式叠置地进行装配；并且·在所述方法中，然后才分离出多个所述构件。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||