| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管受限于制作工艺，沟道长度大，薄膜晶体管的开态电流小的问题。一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极；其中，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN103413834A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201310316885.1 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张文余;谢振宇;田宗民;李婧 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层以及相互绝缘的第一电极和第二电极；其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述第一电极设置在所述有源层靠近基板的一侧，所述第二电极设置在所述有源层远离基板的一侧，且所述第一电极和所述第二电极与所述有源层接触；其中，所述栅极与所述第一电极同层设置，且所述栅极与所述第一电极绝缘。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||