| 发明名称 | 聚合物、抗蚀剂组合物以及使用该抗蚀剂组合物的半导体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不损害抗蚀剂所需的透明性、酸反应性而有利于抗蚀剂基材树脂的高折射率化的二噻烷衍生物、以该二噻烷衍生物作为构成成分的聚合物以，含有该聚合物的抗蚀剂组合物，以及使用该抗蚀剂组合物的半导体装置的制造方法。本发明的二噻烷衍生物，其特征在于：具有下述通式(1)所示的结构。在该通式(1)中，R<sub>1</sub>为H或CH<sub>3</sub>基。本发明的聚合物，其特征在于，作为构成成分含有本发明的二噻烷衍生物。<img file="DPA00001259482900011.GIF" wi="707" he="206" /> | ||
| 申请公布号 | CN102046616B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN200880129490.8 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野崎耕司 |
| 分类号 | C07D339/08(2006.01)I;C08F28/06(2006.01)I;C08L41/00(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | C07D339/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 1.一种聚合物，其特征在于，作为构成成分包含具有下述通式（1）所示结构的二噻烷衍生物，还包含具有在酸中进行反应的脂环族基的构成成分，<img file="FDA00003141902700011.GIF" wi="504" he="243" />通式（1）在上述通式（1）中，R<sub>1</sub>为H或CH<sub>3</sub>基。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||