PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT MUNI DE ZONES ACTIVES VARIEES ET DE TRANSISTORS PLANAIRES ET TRIDIMENSIONNELS

摘要

Un substrat est muni successivement d'un support (7), d'une couche électriquement isolante (8), d'une couche en matériau semi-conducteur (2). Un premier masque (1) de protection recouvre complètement une deuxième zone (B) de la couche en matériau semi-conducteur (2) et laisse découvert une première zone (A) de la couche en matériau semi-conducteur (2). Un deuxième masque (3) de gravure recouvre partiellement la première zone (A) et au moins partiellement la deuxième zone (B), de manière à définir et séparer une première zone (A) et une deuxième zone (B). Des espaceurs latéraux sont formés sur les faces latérales du deuxième masque (3) de gravure de manière à former un troisième masque de gravure. La couche en matériau semi-conducteur (2) est gravée au moyen du troisième masque de gravure de manière à former un motif en matériau semi-conducteur dans la première zone (A), le premier masque (3) de gravure protégeant la deuxième zone (B).