| 发明名称 | 一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，其涉及光电探测技术领域中的光电探测器件结构，该光电探测器包括I型衬底1、P区2、P+区3、纳米微结构硅层N区4及上下电极，所述电极包括位于P区2和P+区3上的上端电极5以及位于纳米微结构硅层N区4上的下端电极6。上端电极5用于与外接电路阴极相连接；下端电极6用于与外接电路阳极相连接。该新型Si光电探测器解决了传统Si光电探测器响应度较小、无法响应近红外波段等问题，提高了对可见光及近红外光的吸收率，使响应波段扩展到近红外波段，响应度更高。 | ||
| 申请公布号 | CN103400887A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310343246.4 | 申请日期 | 2013.08.08 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李伟;郭安然;渠叶君;廖家科;王冲;蒋亚东 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人 | 徐丰;杨保刚 |
| 主权项 | 一种背照式Si‑PIN光电探测器，包括I型衬底（1）、设置在I型衬底（1）中央上方的P区（2）、位于在I型衬底（1）两侧上方并与P区紧邻的P+区（3）、位于I型衬底背面的N型纳米微结构硅层（4）、位于P型区（2）和P+区（3）上表面的上端电极（5）及位于N型纳米微结构硅层（4）下两侧的下端电极（6）。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||